„Samsung“ EUV technologiją DRAM gamyboje taiko pirmą kartą

Anot „ZDnet“, „Samsung“ paskelbė sėkmingai pritaikanti EUV technologijas DRAM gamyboje.

„Samsung“ išsiuntė 1 milijoną 10 nm DDR4 DRAM modulių, pagamintų naudojant EUV procesą, ir juos įvertino klientai. „Samsung“ teigė, kad užbaigus vertinimą, kitais metais bus pradėta masinė naujų DRAM gamyba.

„Samsung“ tik EUV V2 gamybos linija Pyeongtaek gamykloje pradės gaminti DRAM modulius antroje metų pusėje. Tikimasi, kad gamybos linija pagamins 4-osios kartos 10 nm DDR5 ir LPDDR5.

Tai yra dar vienas lustas, kurį gamina Pyeongtaek gamykla, be 7 nm loginių lustų, naudojant EUV technologiją. „Samsung“ tvirtina, kad EUV technologija padvigubins vieno 12 colių plokštelės gamybos efektyvumą.

Tikimasi, kad pasauliniai puslaidininkių gamintojai, tokie kaip „Samsung“, „Intel“ ir TSMC, išplės EUV technologijos naudojimą mikroschemų gamyboje. „Samsung“ anksčiau pareiškė, kad planuoja naudoti EUV technologiją 3 nm lustų gamybai.